半导体产业发展迅速，晶体管元件尺寸随着半导体生产的发展而减小。mos半导体的栅极厚度也在减小，以匹配恒定的场标度。然而，当传统的二氧化硅介质层厚度小于一定厚度时，会产生大的栅极漏电流，称为直流隧穿电流。这种大的漏电流将影响半导体元件的能量损耗、存储器元件的数据损耗等，严重影响所需元件的特性。

采用高介电常数绝缘层是降低栅极漏电流的有效途径，因为高介电常数绝缘层具有较厚的等效氧化层厚度，从而降低了直流隧穿电流。然而，使用高介电常数绝缘子往往会带来电子迁移率低和可靠性差的问题。因此，在沉积高介电常数绝缘层之前，通常对硅片表面进行预处理，形成界面层，以减少高介电常数绝缘层与硅片直接接触而产生的缺陷。过厚的界面层也会降低介电常数，使高介电常数的绝缘失效。本文提出了一种利用四氟化碳等离子体制备高介电材料的方法。

该方法采用四氟化碳等离子体预处理来改善高介电常数绝缘子和硅片界面的性能。结果表明，该方法能有效地降低栅极漏电流。此外，该方法能有效地提高氟原子的含量。更多的氟原子可以提高组件的可靠性。从图2可以看出，四氟化碳等离子体预处理具有较好的电荷坍塌性能，这意味着它可以支持更多的操作，并且是可靠的。四氟化碳等离子体预处理是一种简单的方法，不需要额外的步骤来改善高介电材料。用这种方法制备的高介电材料，可以满足低功耗、高可靠性的要求。